高通宣布骁龙835处理器:采用三星10nm工艺,支持QC4.0快充

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11月17日消息,高通已经宣告了下一代骁龙解决器——骁龙835,高通骁龙835芯片将在2017年初发布,因此支持最新的Quick Charge 4.0快速充电技术,基于三星10nm制造工艺打造。高通骁龙835解决器将取代骁龙821/820,成为高通公司顶级移动解决器。

不过目前高通并未宣告骁龙835的更多信息,但表示10nm工艺已经带来更好的性能领先,提升功率下行时延 ,作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。

援引消息,三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片下行时延 快27%,下行时延 提升40%,在高通骁龙835上具体数值还必须后续不可以知晓。但高通骁龙835芯片面积将变得更小是毋庸置疑的。

三星Galaxy S8有望成为首款搭载高通骁龙835解决器的智能手机设备,LG和HTC也将推出搭载骁龙835的智能手机。

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